发明授权
- 专利标题： Scalable nonvolatile memory
- 专利标题（中）： 可扩展的非易失性存储器
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申请号： US12120549申请日： 2008-05-14
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公开(公告)号： US07911830B2公开(公告)日： 2011-03-22
- 发明人: E. James Torok , David Leslie Fleming , Edward Wuori , Richard Spitzer
- 申请人： E. James Torok , David Leslie Fleming , Edward Wuori , Richard Spitzer
- 申请人地址： US CA Berkeley
- 专利权人： Integrated MagnetoElectronics
- 当前专利权人： Integrated MagnetoElectronics
- 当前专利权人地址： US CA Berkeley
- 代理机构： Weaver Austin Villeneuve & Sampson LLP
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
Various magnetoresistive memory cells and architectures are included which enable nonvolatile memories having high information density.
公开/授权文献
- US20080285331A1 SCALABLE NONVOLATILE MEMORY 公开/授权日：2008-11-20
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