- 专利标题： Group III nitride semiconductor substrate and method for cleaning the same
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申请号： US12669610申请日： 2008-07-08
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公开(公告)号： US07928446B2公开(公告)日： 2011-04-19
- 发明人: Kenji Fujito , Hirotaka Oota , Shuichi Kubo
- 申请人： Kenji Fujito , Hirotaka Oota , Shuichi Kubo
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Chemical Corporation
- 当前专利权人： Mitsubishi Chemical Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： JP2007-188603 20070719
- 国际申请： PCT/JP2008/001813 WO 20080708
- 国际公布： WO2009/011100 WO 20090122
- 主分类号： H01L29/20
- IPC分类号： H01L29/20
摘要：
A Group-III nitride semiconductor substrate having a flat surface with a dangling bond density of higher than 14.0 nm−2 is produced by cleaning the surface having a dangling bond density of higher than 14.0 nm−2 with a cleaning agent containing an ammonium salt.
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