半导体陶瓷的Sr位置和Ti位置之间的混合摩尔比m满足关系1.000＆nlE; m <1.020，相对于溶解在Sr中的Ti元素的100摩尔，施主元素的量为0.8〜2.0摩尔 形成固溶体，施主元素的价态比Sr元素高，过渡金属元素如Mn，相对于100元Ti元素掺入量为0.3〜1.0摩尔，以便被分离 晶粒的平均粒径为1.0μm以下。 其中半导体陶瓷层被堆叠的部件体和内部电极2被嵌入提供了即使将晶粒的平均晶粒尺寸减小到具有5000或更高的表观相对介电常数的SrTiO 3系晶界绝缘型半导体陶瓷 1μm以下的半导体陶瓷电容器和通过使用SrTiO 3系晶界绝缘型半导体陶瓷可以实现层厚减小和介电特性提高的半导体陶瓷电容器。