公开(公告)号：US07990678B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12145283

申请日：2008-06-24

申请人： Mitsutoshi Kawamoto ,  Shinsuke Tani

发明人： Mitsutoshi Kawamoto ,  Shinsuke Tani

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/252

摘要： A semiconductor ceramic has a mixing molar ratio m between the Sr site and the Ti site satisfying the relationship 1.000≦m

摘要翻译： 半导体陶瓷的Sr位置和Ti位置之间的混合摩尔比m满足关系1.000＆nlE; m <1.020，相对于溶解在Sr中的Ti元素的100摩尔，施主元素的量为0.8〜2.0摩尔 形成固溶体，施主元素的价态比Sr元素高，过渡金属元素如Mn，相对于100元Ti元素掺入量为0.3〜1.0摩尔，以便被分离 晶粒的平均粒径为1.0μm以下。 其中半导体陶瓷层被堆叠的部件体和内部电极2被嵌入提供了即使将晶粒的平均晶粒尺寸减小到具有5000或更高的表观相对介电常数的SrTiO 3系晶界绝缘型半导体陶瓷 1μm以下的半导体陶瓷电容器和通过使用SrTiO 3系晶界绝缘型半导体陶瓷可以实现层厚减小和介电特性提高的半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：US06680527B1

公开(公告)日：2004-01-20

申请号：US09426652

申请日：1999-10-25

申请人： Mitsutoshi Kawamoto

发明人： Mitsutoshi Kawamoto

IPC分类号： H01L2312

CPC分类号： H01C1/1406 ,  H01C7/025 ,  Y10S257/924

摘要： A monolithic semiconducting ceramic electronic component includes barium titanate-based semiconducting ceramic layers and internal electrode layers alternately deposited, and external electrodes electrically connected to the internal electrode layers. The semiconducting ceramic layers contain ceramic particles having an average particle size of about 1 &mgr;m or less and the average number of ceramic particles per layer in the direction perpendicular to the semiconductor layers is about 10 or more. The internal electrode layers are preferably composed of a nickel-based metal.

摘要翻译： 单片半导体陶瓷电子部件包括交替沉积的钛酸钡基半导体陶瓷层和内部电极层，以及与内部电极层电连接的外部电极。 半导体陶瓷层含有平均粒径为约1μm以下的陶瓷粒子，并且在垂直于半导体层的方向上每层的平均陶瓷粒子数为约10个以上。 内部电极层优选由镍基金属构成。

公开(公告)号：US06472339B2

公开(公告)日：2002-10-29

申请号：US09157062

申请日：1998-09-18

申请人： Mitsutoshi Kawamoto ,  Hideaki Niimi ,  Ryouichi Urahara ,  Yukio Sakabe

发明人： Mitsutoshi Kawamoto ,  Hideaki Niimi ,  Ryouichi Urahara ,  Yukio Sakabe

IPC分类号： C04B35468

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/4682

摘要： The present invention provides barium titanate semiconductive ceramic having low specific resistance at room temperature and high withstand voltage, which fully satisfies the demand for enhancing withstand voltage. The average ceramic grain size of the barium titanate semiconductive ceramic is controlled to about 0.9 &mgr;m or less. By this control, the ceramic possesses low specific resistance at room temperature and high withstand voltage fully satisfying a recent demand for enhancing withstand voltage and may suitably used for applications such as controlling temperature and limiting current, or in exothermic devices for constant temperature. Accordingly, the barium titanate semiconductive ceramic enables an apparatus using the same to have enhanced performance and reduced size.

摘要翻译： 本发明提供了在室温下具有低电阻率和高耐压的钛酸钡半导体陶瓷，其完全满足提高耐电压的要求。 钛酸钡半导体陶瓷的平均陶瓷粒径控制在0.9μm以下。 通过该控制，陶瓷在室温下具有低的电阻率和高耐受电压，完全满足了近来对提高耐受电压的要求，并且可以适用于诸如控制温度和限制电流的应用，或用于恒温的放热装置中。 因此，钛酸钡半导体陶瓷使得能够使用其的装置具有增强的性能和减小的尺寸。

公开(公告)号：US08654506B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13187052

申请日：2011-07-20

申请人： Mitsutoshi Kawamoto

发明人： Mitsutoshi Kawamoto

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： C04B37/006 ,  C01G23/00 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/346 ,  H01C7/115 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： A laminate type semiconductor ceramic capacitor with a varistor function is achieved which allows for an improvement in product yield while ensuring such insulation performance that can withstand practical use, and is suitable for mass production with a favorable ESD withstanding voltage. The semiconductor ceramic forming the semiconductor ceramic layers has a compounding molar ratio m between the Sr site and the Ti site of 0.990≦m

摘要翻译： 实现了具有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，其能够提高产品产量，同时确保能够经受实际应用的绝缘性能，并且适合于具有良好ESD耐压的大规模生产。 形成半导体陶瓷层的半导体陶瓷的Sr位点和Ti部位之间的配合摩尔比m为0.990×m <1.000，呈现作为晶粒固溶体的La的施主元素，具有受体元素 Mn相对于100摩尔Ti元素为0.5摩尔以下（优选为0.3摩尔〜0.5摩尔），在晶界层中存在，并且具有平均粒径为1.5μm以下的晶粒。

公开(公告)号：US07872854B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US12041407

申请日：2008-03-03

申请人： Mitsutoshi Kawamoto

发明人： Mitsutoshi Kawamoto

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

摘要： A semiconductor ceramic comprising a donor element within the range of 0.8 to 2.0 mol relative to 100 mol of Ti element contained as a solid solution with crystal grains, a first acceptor element in an amount less than the amount of the donor element is contained as a solid solution with the crystal grains, a second acceptor element within the range of 0.3 to 1.0 mol relative to 100 mol of a Ti element is present in crystal grain boundaries, and the average grain size of the crystal grains is 1.0 μm or less. A monolithic semiconductor ceramic capacitor is obtained by using this semiconductor ceramic. To form the semiconductor ceramic, in a first firing treatment to conduct reduction firing, a cooling treatment is conducted while the oxygen partial pressure at the time of starting the cooling is set at 1.0×104 times or more the oxygen partial pressure in the firing process. In this manner, a SrTiO3 based grain boundary insulation type semiconductor ceramic having a large apparent relative dielectric constant ∈rAPP of 5,000 or more and a large resistivity log ρ (ρ: Ω·cm) of 10 or more even when crystal grains are made fine to have an average grain size of 1.0 μm or less, a monolithic semiconductor ceramic capacitor including the semiconductor ceramic, and methods for manufacturing them are realized.

摘要翻译： 包含相对于作为具有晶粒的固体溶液所含的Ti元素的100摩尔的0.8摩尔至2.0摩尔范围的供体元素的半导体陶瓷，含有少于施主元素量的第一受体元素作为 具有晶粒的固溶体，相对于100摩尔Ti元素为0.3〜1.0摩尔的第二受体元素存在于晶体晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。 通过使用该半导体陶瓷获得单片半导体陶瓷电容器。 为了形成半导体陶瓷，在进行还原烧成的第一烧成处理中，进行冷却处理，同时冷却开始时的氧分压设定为烧成工序中的氧分压的1.0×10 4倍以上 。 以这种方式，具有大于5000或更大的表观相对介电常数εPAPP和大电阻率log＆rgr的SrTiO 3基晶界绝缘型半导体陶瓷 （＆rgr ;:＆OHgr;·cm）为10以上，即使在晶粒细化而具有1.0μm以下的平均粒径的情况下，也可以实现包括半导体陶瓷的单片半导体陶瓷电容器及其制造方法。

公开(公告)号：US20080186655A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12041407

申请日：2008-03-03

申请人： MITSUTOSHI KAWAMOTO

发明人： MITSUTOSHI KAWAMOTO

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

摘要： A semiconductor ceramic comprising a donor element within the range of 0.8 to 2.0 mol relative to 100 mol of Ti element contained as a solid solution with crystal grains, a first acceptor element in an amount less than the amount of the donor element is contained as a solid solution with the crystal grains, a second acceptor element within the range of 0.3 to 1.0 mol relative to 100 mol of a Ti element is present in crystal grain boundaries, and the average grain size of the crystal grains is 1.0 μm or less. A monolithic semiconductor ceramic capacitor is obtained by using this semiconductor ceramic. To form the semiconductor ceramic, in a first firing treatment to conduct reduction firing, a cooling treatment is conducted while the oxygen partial pressure at the time of starting the cooling is set at 1.0×104 times or more the oxygen partial pressure in the firing process. In this manner, a SrTiO3 based grain boundary insulation type semiconductor ceramic having a large apparent relative dielectric constant ∈rAPP of 5,000 or more and a large resistivity log ρ (ρ:Ω·cm) of 10 or more even when crystal grains are made fine to have an average grain size of 1.0 μm or less, a monolithic semiconductor ceramic capacitor including the semiconductor ceramic, and methods for manufacturing them are realized.

摘要翻译： 包含相对于作为具有晶粒的固体溶液所含的Ti元素的100摩尔的0.8摩尔至2.0摩尔范围的供体元素的半导体陶瓷，含有少于施主元素量的第一受体元素作为 具有晶粒的固溶体，相对于100摩尔Ti元素为0.3〜1.0摩尔的第二受体元素存在于晶体晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。 通过使用该半导体陶瓷获得单片半导体陶瓷电容器。 为了形成半导体陶瓷，在进行还原烧成的第一烧成处理中，进行冷却处理，同时将冷却开始时的氧分压设定为1.0×10 4倍以上 烧制过程中的氧分压。 以这种方式，具有5000或更大的表观相对介电常数εΛr大于等于或大的SrTiO 3 N基晶界绝缘型半导体陶瓷和大的电阻率log rho（rho ：Omega.cm）为10以上，即使将晶粒微细化为平均粒径为1.0μm以下，也可以实现包含半导体陶瓷的单片半导体陶瓷电容器及其制造方法。

公开(公告)号：US06911893B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10022715

申请日：2001-12-18

申请人： Masahiro Kodama ,  Atsushi Kishimoto ,  Mitsutoshi Kawamoto ,  Hideaki Niimi ,  Akira Ando

发明人： Masahiro Kodama ,  Atsushi Kishimoto ,  Mitsutoshi Kawamoto ,  Hideaki Niimi ,  Akira Ando

IPC分类号： C04B41/85 ,  C01G23/00 ,  C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01C7/00 ,  H01C7/02 ,  H01C17/065 ,  H01L29/24 ,  H01C7/10

CPC分类号： H01C17/06533 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  H01C7/021 ,  H01C7/025 ,  H01L29/24

摘要： A ceramic electronic component includes a component body having semiconductive ceramic layers and internal electrodes. The semiconductive ceramic layers and the internal electrodes are alternately laminated. The semiconductive ceramic layers have a relative density of about 90% or less and contain no sintering additives. The component body is provided with an external electrode on each side thereof. The ceramic electronic component has a low resistance and a high withstand voltage.

摘要翻译： 陶瓷电子部件包括具有半导体陶瓷层和内部电极的部件体。 半导体陶瓷层和内部电极交替层叠。 半导体陶瓷层的相对密度为约90％以下，不含烧结添加剂。 该组件主体的每一侧设置有外部电极。 陶瓷电子元件具有低电阻和高耐压。

公开(公告)号：US06376079B1

公开(公告)日：2002-04-23

申请号：US09281343

申请日：1999-03-30

申请人： Mitsutoshi Kawamoto ,  Hideaki Niimi

发明人： Mitsutoshi Kawamoto ,  Hideaki Niimi

IPC分类号： B32B702

CPC分类号： C04B35/468 ,  H01C7/025 ,  H01C17/06533 ,  Y10T428/31

摘要： The present invention provides a semiconducting ceramic which possesses a dielectric strength of 800 V/mm or more and a specific resistance at room temperature of 100 &OHgr;·cm or less, the specific resistance at room temperature undergoing substantially no time-course change. The semiconducting ceramic is formed of a sintered semiconducting material containing barium titanate, wherein the average grain size of the semiconducting ceramic is about 1.0 &mgr;m or less and the relative spectral intensity ratio represented by BaCO3/BaO, which is determined by XPS at the surface of the ceramic, is 0.5 or less.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体陶瓷，其绝缘强度为800V / mm以上，室温下的电阻率为100Ω·cm·cm以下，室温下的电阻率基本上无时间变化。 半导体陶瓷由包含钛酸钡的烧结半导体材料形成，其中半导体陶瓷的平均晶粒尺寸为约1.0μm或更小，由BaCO 3 / BaO表示的相对光谱强度比由XPS表示的 陶瓷为0.5以下。

公开(公告)号：US20080117561A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US12024730

申请日：2008-02-01

申请人： Shinsuke TANI ,  Mitsutoshi KAWAMOTO

发明人： Shinsuke TANI ,  Mitsutoshi KAWAMOTO

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/115 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

摘要： A monolithic semiconductor ceramic capacitor includes semiconductor ceramic layers made of a semiconductor ceramic having a Sr site and a Ti site. The semiconductor ceramic satisfies the inequality 1.000

摘要翻译： 单片半导体陶瓷电容器包括由具有Sr部位和Ti部位的半导体陶瓷制成的半导体陶瓷层。 半导体陶瓷满足不等式1.000

公开(公告)号：US06984355B2

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：US10246008

申请日：2002-09-18

申请人： Hideaki Niimi ,  Akira Ando ,  Mitsutoshi Kawamoto ,  Masahiro Kodama

发明人： Hideaki Niimi ,  Akira Ando ,  Mitsutoshi Kawamoto ,  Masahiro Kodama

IPC分类号： C04B33/32

CPC分类号： H01C7/025 ,  H01C17/06533 ,  H01C17/265

摘要： A BaTiO3-type semiconducting ceramic material which has undergone firing in a reducing atmosphere and re-oxidation, wherein the relative density of the ceramic material after sintering is about 85–90%. A process for producing the semiconducting ceramic material of the present invention and a thermistor containing the semiconducting ceramic material are also disclosed.

摘要翻译： 一种在还原气氛中进行烧制并重新氧化的BaTiO 3 N型半导体陶瓷材料，其中烧结后陶瓷材料的相对密度约为85-90％。 还公开了本发明的半导体陶瓷材料的制造方法和含有半导体陶瓷材料的热敏电阻。