发明授权
US08000143B2 Nonvolatile memory device including circuit formed of thin film transistors
有权
包括由薄膜晶体管形成的电路的非易失性存储器件
- 专利标题： Nonvolatile memory device including circuit formed of thin film transistors
- 专利标题（中）： 包括由薄膜晶体管形成的电路的非易失性存储器件
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申请号： US12888974申请日： 2010-09-23
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公开(公告)号： US08000143B2公开(公告)日： 2011-08-16
- 发明人: Taku Ogura , Tadaaki Yamauchi , Takashi Kubo
- 申请人： Taku Ogura , Tadaaki Yamauchi , Takashi Kubo
- 申请人地址： JP Kanagawa
- 专利权人： Renesas Electronics Corporation
- 当前专利权人： Renesas Electronics Corporation
- 当前专利权人地址： JP Kanagawa
- 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
- 优先权： JP2003-323358 20030916
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34 ; G11C29/00 ; G11C8/00
摘要：
A transistor is arranged for electrically isolating a sense amplifier formed of a thin film transistor from a data line electrically coupled to the sense amplifier. When a write driver drives the data line, a control signal is applied to isolate the data line from the sense amplifier.
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