III-V semiconductor device structures

发明授权

US08026534B2 III-V semiconductor device structures 有权

标题翻译： III-V半导体器件结构

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专利标题： III-V semiconductor device structures
专利标题（中）： III-V半导体器件结构
申请号： US12907787

申请日： 2010-10-19
公开(公告)号： US08026534B2

公开(公告)日： 2011-09-27
发明人: Thomas A. Langdo , Matthew T. Currie , Richard Hammond , Anthony J. Lochtefeld , Eugene A. Fitzgerald
申请人： Thomas A. Langdo , Matthew T. Currie , Richard Hammond , Anthony J. Lochtefeld , Eugene A. Fitzgerald
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
主分类号： H01L31/102
IPC分类号： H01L31/102

摘要：

The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要（中）：

应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开/授权文献

US20110073908A1 III-V Semiconductor Device Structures 公开/授权日：2011-03-31

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08	.其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10	..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101	...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102	....仅以一个势垒或面垒为特征的