发明授权
- 专利标题： Semiconductor substrate surface preparation method
- 专利标题（中）： 半导体衬底表面制备方法
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申请号： US12867217申请日： 2009-01-23
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公开(公告)号： US08062957B2公开(公告)日： 2011-11-22
- 发明人: Radouane Khalid
- 申请人： Radouane Khalid
- 申请人地址： FR Bernin
- 专利权人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- 当前专利权人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- 当前专利权人地址： FR Bernin
- 代理机构： Winston & Strawn LLP
- 优先权： EP08290138 20080213
- 国际申请： PCT/IB2009/000141 WO 20090123
- 国际公布： WO2009/101494 WO 20090820
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/331 ; H01L21/46 ; H01L21/30 ; H01L21/322
摘要：
The invention relates to a method for preparing a surface of a semiconductor substrate by oxidizing the surface of the semiconductor substrate to thereby transform the natural oxide into an artificial oxide and then removing the artificial oxide, in particular to obtain an oxide-free substrate surface.
公开/授权文献
- US20110053342A1 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE PREPARATION METHOD 公开/授权日：2011-03-03
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