发明授权
US08120065B2 Tensile strained NMOS transistor using group III-N source/drain regions
有权
使用III-N族源/漏区的拉伸应变NMOS晶体管
- 专利标题： Tensile strained NMOS transistor using group III-N source/drain regions
- 专利标题（中）： 使用III-N族源/漏区的拉伸应变NMOS晶体管
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申请号： US12541763申请日： 2009-08-14
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公开(公告)号： US08120065B2公开(公告)日： 2012-02-21
- 发明人: Suman Datta , Justin K. Brask , Been-Yih Jin , Jack T. Kavalieros , Mantu K. Hudait
- 申请人： Suman Datta , Justin K. Brask , Been-Yih Jin , Jack T. Kavalieros , Mantu K. Hudait
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
Enhancement mode transistors are described where a Group III-N compound is used in the source and drain regions to place tensile strain on the channel. The source and drain regions may be raised or embedded, and fabricated in conjunction with recessed or raised compression regions for p channel transistors.
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