发明授权
- 专利标题： Monolithic microwave integrated circuit with diamond layer
- 专利标题（中）： 具有金刚石层的单片微波集成电路
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申请号： US12015415申请日： 2008-01-16
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公开(公告)号： US08143654B1公开(公告)日： 2012-03-27
- 发明人: Paul Saunier
- 申请人： Paul Saunier
- 申请人地址： US OR Hillsboro
- 专利权人： TriQuint Semiconductor, Inc.
- 当前专利权人： TriQuint Semiconductor, Inc.
- 当前专利权人地址： US OR Hillsboro
- 代理机构： Schwabe Williamson & Wyatt
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66
摘要：
Embodiments of apparatuses, articles, methods, and systems for a monolithic microwave integrated circuit with a substrate having a diamond layer are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
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