发明授权
- 专利标题： Power semiconductor module
- 专利标题（中）： 功率半导体模块
-
申请号： US11834395申请日： 2007-08-06
-
公开(公告)号： US08154114B2公开(公告)日： 2012-04-10
- 发明人: Reinhold Bayerer
- 申请人： Reinhold Bayerer
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Dicke, Billig & Czaja, PLLC
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12
摘要：
A power semiconductor module is disclosed. One embodiment includes a multilayer substrate having a plurality of metal layers and a plurality of ceramic layers, where the ceramic layers are located between the metal layers.
公开/授权文献
- US20090039498A1 POWER SEMICONDUCTOR MODULE 公开/授权日：2009-02-12
信息查询
IPC分类:
