发明授权
- 专利标题： High performance InAs-based devices
- 专利标题（中）： 高性能基于InAs的设备
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申请号： US11641917申请日： 2006-12-19
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公开(公告)号： US08193611B1公开(公告)日： 2012-06-05
- 发明人: Rajesh Rajavel , Ken Elliott , David Chow
- 申请人： Rajesh Rajavel , Ken Elliott , David Chow
- 申请人地址： US CA Malibu
- 专利权人： HRL Laboratories, LLC
- 当前专利权人： HRL Laboratories, LLC
- 当前专利权人地址： US CA Malibu
- 代理机构： Ladas & Parry
- 主分类号： H01L29/22
- IPC分类号： H01L29/22
摘要：
Material layer structures that have high mobility, a high conduction band barrier and materials that can be implanted to enable higher performance FET device. The structures contain a quantum well layer disposed between two barriers and disposed above a buffer layer and a substrate.