发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US12643458申请日： 2009-12-21
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公开(公告)号： US08232594B2公开(公告)日： 2012-07-31
- 发明人: Hyun-Tae Kim
- 申请人： Hyun-Tae Kim
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： Dongbu HiTek Co., Ltd.
- 当前专利权人： Dongbu HiTek Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Sherr & Vaughn, PLLC
- 优先权： KR10-2008-0137578 20081230
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/762
摘要：
A semiconductor device includes an isolation layer formed on and/or over a semiconductor substrate to define an isolation layer, a drift area formed in an active area separated by the isolation layer, a pad nitride layer pattern formed in a form of a plate on the drift area, and a gate electrode having step difference between lateral sides thereof due to the pad nitride layer pattern.
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