发明授权
- 专利标题： Thin film transistor with LDD/offset structure
- 专利标题（中）： 具LDD /偏移结构的薄膜晶体管
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申请号： US10734162申请日： 2003-12-15
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公开(公告)号： US08314428B2公开(公告)日： 2012-11-20
- 发明人: Ji Yong Park , Ki Yong Lee , Hye Hyang Park
- 申请人： Ji Yong Park , Ki Yong Lee , Hye Hyang Park
- 申请人地址： KR Yongin
- 专利权人： Samsung Display Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Display Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Yongin
- 代理机构： H.C. Park & Associates, PLC
- 优先权： KR10-2002-0080326 20021216
- 主分类号： H01L27/14
- IPC分类号： H01L27/14
摘要：
A thin film transistor including a lightly doped drain (LDD) region or offset region, wherein the thin film transistor is formed so that primary crystal grain boundaries of a polysilicon substrate are not positioned in the LDD or offset region.
公开/授权文献
- US20040124480A1 Thin film transistor with LDD/offset structure 公开/授权日：2004-07-01
信息查询
IPC分类:
