发明授权
- 专利标题： Method of operating nonvolatile memory device
- 专利标题（中）： 操作非易失性存储器件的方法
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申请号： US13064265申请日： 2011-03-15
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公开(公告)号： US08320186B2公开(公告)日： 2012-11-27
- 发明人: Kwang-soo Seol , Sang-jin Park , Sung-hoon Lee , Sung-il Park , Jong-seob Kim
- 申请人： Kwang-soo Seol , Sang-jin Park , Sung-hoon Lee , Sung-il Park , Jong-seob Kim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2007-0020622 20070228; KR10-2007-0037166 20070416
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
Provided is a method of operating a nonvolatile memory device to perform a programming operation or an erase operation. The method includes applying a composite pulse including a direct current (DC) pulse and an AC perturbation pulse to the nonvolatile memory device to perform the programming operation or the erase operation.
公开/授权文献
- US20110164457A1 Method of operating nonvolatile memory device 公开/授权日：2011-07-07
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