发明授权
US08334570B2 Metal gate stress film for mobility enhancement in FinFET device
有权
金属栅应力薄膜，用于FinFET器件中的迁移率增强
- 专利标题： Metal gate stress film for mobility enhancement in FinFET device
- 专利标题（中）： 金属栅应力薄膜，用于FinFET器件中的迁移率增强
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申请号： US13041066申请日： 2011-03-04
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公开(公告)号： US08334570B2公开(公告)日： 2012-12-18
- 发明人: Jeff J. Xu , Clement H. Wann , Chi Cheh Yeh , Chi-Sheng Chang
- 申请人： Jeff J. Xu , Clement H. Wann , Chi Cheh Yeh , Chi-Sheng Chang
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： Duane Morris LLP
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092
摘要：
A CMOS FinFET semiconductor device provides an NMOS FinFET device that includes a compressive stress metal gate layer over semiconductor fins and a PMOS FinFET device that includes a tensile stress metal gate layer over semiconductor fins. A process for forming the same includes a selective annealing process that selectively converts a compressive metal gate film formed over the PMOS device to the tensile stress metal gate film.
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