发明授权
US08362504B2 Light emitting diode device using nanocrystal-metal oxide composite and method for fabricating the same
有权
使用纳米晶体金属氧化物复合物的发光二极管器件及其制造方法
- 专利标题： Light emitting diode device using nanocrystal-metal oxide composite and method for fabricating the same
- 专利标题（中）： 使用纳米晶体金属氧化物复合物的发光二极管器件及其制造方法
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申请号： US12112677申请日： 2008-04-30
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公开(公告)号： US08362504B2公开(公告)日： 2013-01-29
- 发明人: Eun Joo Jang , Shin Ae Jun , Jung Eun Lim
- 申请人： Eun Joo Jang , Shin Ae Jun , Jung Eun Lim
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Cantor Colburn LLP
- 优先权： KR10-2007-0044974 20070509
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L21/00
摘要：
A light emitting diode device includes a light emitting diode chip and a nanocrystal-metal oxide monolith having a nanocrystal-metal oxide composite disposed on a light emitting surface of the light emitting diode chip.
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