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US08388854B2 Methods of forming nanodots using spacer patterning techniques and structures formed thereby 失效
使用间隔图案化技术和由此形成的结构形成纳米点的方法

Methods of forming nanodots using spacer patterning techniques and structures formed thereby
摘要：
Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may include forming a first block on a nanodot material, forming a first spacer on the first block, removing the first block to form a free standing spacer, removing exposed portions of the nanodot material and then the free standing spacer to form nanowires, forming a second block at an angle to a length of the nanowires, forming a second spacer on the second block, forming a second free standing spacer on the nanowires by removing the second block, and removing exposed portions of the nanowires and then the second free standing spacer to form an ordered array of nanodots.
摘要（中）：

描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括在纳点物质上形成第一块，在第一块上形成第一间隔物，去除第一块以形成自由间隔物，去除纳米点材料的暴露部分，然后除去自由基间隔物以形成纳米线， 在与所述纳米线的长度成一定角度地形成第二块，在所述第二块上形成第二间隔物，通过去除所述第二块在所述纳米线上形成第二自由间隔物，以及去除所述纳米线的暴露部分，然后除去所述第二自由基 形成有序阵列的纳米点。

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