发明授权
- 专利标题： Memristive transistor memory
- 专利标题（中）： 记忆晶体管存储器
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申请号： US13142581申请日： 2009-01-30
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公开(公告)号： US08507968B2公开(公告)日： 2013-08-13
- 发明人: Dmitri B. Strukov , Philip J. Kuekes , Duncan Stewart , Zhiyong Li
- 申请人： Dmitri B. Strukov , Philip J. Kuekes , Duncan Stewart , Zhiyong Li
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 国际申请： PCT/US2009/032740 WO 20090130
- 国际公布： WO2010/087854 WO 20100805
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76 ; H01L21/336
摘要：
A memory device (100) includes a semiconductor wire including a source region (132), a drain region (134), and a channel region (130) between the source region (132) and the drain region (134). A gate structure that overlies the channel region includes a memristive portion (120) and a conductive portion (110) overlying the memristive portion (120).
公开/授权文献
- US20110266605A1 Memristive Transistor Memory 公开/授权日：2011-11-03
信息查询
IPC分类:
