发明授权
- 专利标题： Forming semiconductor structures
- 专利标题（中）： 形成半导体结构
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申请号： US11485078申请日： 2006-07-12
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公开(公告)号： US08513111B2公开(公告)日： 2013-08-20
- 发明人: Robert P. Meagley , Kevin P. O'Brien , Tian-An Chen , Michael D. Goodner , James Powers , Huey-Chiang Liou
- 申请人： Robert P. Meagley , Kevin P. O'Brien , Tian-An Chen , Michael D. Goodner , James Powers , Huey-Chiang Liou
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： H01L23/58
- IPC分类号： H01L23/58
摘要：
A semiconductor structure may be covered with a thermally decomposing film. That film may then be covered by a sealing cover. Subsequently, the thermally decomposing material may be decomposed, forming a cavity.
公开/授权文献
- US20060255432A1 Forming semiconductor structures 公开/授权日：2006-11-16
信息查询
IPC分类:
