发明授权
- 专利标题： Method of controlling etch microloading for a tungsten-containing layer
- 专利标题（中）： 控制含钨层的蚀刻微负载的方法
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申请号： US12744012申请日： 2008-11-13
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公开(公告)号： US08518282B2公开(公告)日： 2013-08-27
- 发明人: Wonchul Lee , Qian Fu , Shenjian Liu , Bryan Pu
- 申请人： Wonchul Lee , Qian Fu , Shenjian Liu , Bryan Pu
- 申请人地址： US CA Fremont
- 专利权人： Lam Research Corporation
- 当前专利权人： Lam Research Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Fremont
- 代理机构： Beyer Law Group LLP
- 国际申请： PCT/US2008/083412 WO 20081113
- 国际公布： WO2009/067381 WO 20090528
- 主分类号： B44C1/22
- IPC分类号： B44C1/22 ; H01L21/3065
摘要：
A method for etching features of different aspect ratios in a tungsten containing layer is provided. An etch gas is provided containing a tungsten etch component and a deposition component. A plasma is formed from the provided etch gas. A tungsten containing layer patterned with wide and narrow features is etched with the provided plasma.
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