Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path

发明授权

US08530284B2 Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path 有权

标题翻译：用旁通路径形成双向晶体管的方法

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专利标题： Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path
专利标题（中）： 用旁通路径形成双向晶体管的方法
申请号： US13324682

申请日： 2011-12-13
公开(公告)号： US08530284B2

公开(公告)日： 2013-09-10
发明人: Francine Y. Robb , Stephen P. Robb
申请人： Francine Y. Robb , Stephen P. Robb
申请人地址： US AZ Phoenix
专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人地址： US AZ Phoenix
代理商 Robert F. Hightower
主分类号： H01L21/332
IPC分类号： H01L21/332

Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path

摘要：

In one embodiment, a transistor is formed to have a first current flow path to selectively conduct current in both directions through the transistor and to have a second current flow path to selectively conduct current in one direction.

摘要（中）：

在一个实施例中，晶体管被形成为具有第一电流流动路径，以选择性地在两个方向上导通电流通过晶体管，并且具有第二电流流动路径以选择性地在一个方向上导通电流。

公开/授权文献

US20120083075A1 METHOD OF FORMING A BI-DIRECTIONAL TRANSISTOR WITH BY-PASS PATH 公开/授权日：2012-04-05

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328	....制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33	.....包括3个或更多电极的器件
H01L21/332	......晶闸管