发明授权
- 专利标题： Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting element
- 专利标题（中）： 氮化镓系化合物半导体发光元件
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申请号： US13405725申请日： 2012-02-27
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公开(公告)号： US08546167B2公开(公告)日： 2013-10-01
- 发明人: Ryou Kato , Shunji Yoshida , Toshiya Yokogawa
- 申请人： Ryou Kato , Shunji Yoshida , Toshiya Yokogawa
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Panasonic Corporation
- 当前专利权人： Panasonic Corporation
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： Renner, Otto, Boisselle & Sklar, LLP
- 优先权： JP2009-259162 20091112
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A nitride-based semiconductor light-emitting element includes an n-GaN layer 102, a p-GaN layer 107, and a GaN/InGaN multi-quantum well active layer 105, which is interposed between the n- and p-GaN layers 102 and 107. The GaN/InGaN multi-quantum well active layer 105 is an m-plane semiconductor layer, which includes an InxGa1-xN (where 0
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