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US08557627B2 Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same 有权
形成相变层的方法和制造包括该相变层的相变存储器件的方法

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same
摘要：
A phase change structure includes a first phase change material layer pattern and a second phase change material layer pattern. The first phase change material layer pattern may partially fill a minute structure, and the second phase change material layer pattern may fully fill the minute structure. The first phase change material layer pattern may include a first phase change material, and the second phase change material layer pattern may include a second phase change material having a composition substantially different from a composition of the first phase change material.
摘要（中）：

相变结构包括第一相变材料层图案和第二相变材料层图案。 第一相变材料层图案可以部分地填充微小结构，并且第二相变材料层图案可以完全填充微小结构。 第一相变材料层图案可以包括第一相变材料，并且第二相变材料层图案可以包括具有与第一相变材料的组成显着不同的组成的第二相变材料。

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