发明授权
- 专利标题： High temperature atomic layer deposition of dielectric oxides
- 专利标题（中）： 介电氧化物的高温原子层沉积
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申请号： US12710185申请日： 2010-02-22
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公开(公告)号： US08592294B2公开(公告)日： 2013-11-26
- 发明人: Suvi Haukka , Hannu Huotari , Marko Tuominen
- 申请人： Suvi Haukka , Hannu Huotari , Marko Tuominen
- 申请人地址： NL
- 专利权人： ASM International N.V.
- 当前专利权人： ASM International N.V.
- 当前专利权人地址： NL
- 代理机构： Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
Methods are provided herein for forming metal oxide thin films by atomic layer deposition. The metal oxide thin films can be deposited at high temperatures such that the thin film is crystalline as deposited. The metal oxide thin films can be used, for example, as dielectric oxides in transistors, flash devices, capacitors, integrated circuits, and other semiconductor applications.
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