发明授权
- 专利标题： Method for fabricating a semiconductor chip and semiconductor chip
- 专利标题（中）： 半导体芯片和半导体芯片的制造方法
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申请号： US12946138申请日： 2010-11-15
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公开(公告)号： US08637967B2公开(公告)日： 2014-01-28
- 发明人: Markus Menath , Hermann Wendt , Berthold Schuderer
- 申请人： Markus Menath , Hermann Wendt , Berthold Schuderer
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L23/06
- IPC分类号： H01L23/06
摘要：
A method includes structuring a semiconductor substrate to produce a number semiconductor chips. Each of the semiconductor chips includes a first main face and a number of side faces. An indentation is formed at a transition between the first main face and the side faces.
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