发明授权
- 专利标题： Memory semiconductor device and method of operating the same
- 专利标题（中）： 存储器半导体器件及其操作方法
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申请号： US13107206申请日： 2011-05-13
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公开(公告)号： US08644064B2公开(公告)日： 2014-02-04
- 发明人: Byungkyu Cho , Changhyun Lee , Sunghoi Hur
- 申请人： Byungkyu Cho , Changhyun Lee , Sunghoi Hur
- 申请人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 代理机构： F. Chau & Associates, LLC
- 优先权： KR10-2010-0048194 20100524
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
In a read step or a program (write) verification step of a semiconductor memory device, read voltages different from one another are applied to a pair of word lines respectively disposed on both sides of a selected word line to suppress the enlargement of program distribution.
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