发明授权
US08647969B1 Method for forming a semiconductor layer with improved gap filling properties
有权
用于形成具有改善的间隙填充性能的半导体层的方法
- 专利标题： Method for forming a semiconductor layer with improved gap filling properties
- 专利标题（中）： 用于形成具有改善的间隙填充性能的半导体层的方法
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申请号： US13362899申请日： 2012-01-31
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公开(公告)号： US08647969B1公开(公告)日： 2014-02-11
- 发明人: Rinji Sugino , Yider Wu , Minh Van Ngo , Jeffrey Sinclair Glick , Kuo Tung Chang
- 申请人： Rinji Sugino , Yider Wu , Minh Van Ngo , Jeffrey Sinclair Glick , Kuo Tung Chang
- 申请人地址： US CA Sunnyvale
- 专利权人： Spansion LLC
- 当前专利权人： Spansion LLC
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale
- 代理机构： Harrity & Harrity, LLP
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
A method of manufacturing a memory device includes forming a first dielectric layer over a substrate, forming a charge storage element over the first dielectric layer and forming an inter-gate dielectric over the charge storage element. The method also includes depositing a silicon control gate layer over the inter-gate dielectric using a reactant that contains chlorine.
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