发明授权
US08716858B2 Bump structure with barrier layer on post-passivation interconnect
有权
在钝化后互连上具有阻挡层的凹凸结构
- 专利标题： Bump structure with barrier layer on post-passivation interconnect
- 专利标题（中）： 在钝化后互连上具有阻挡层的凹凸结构
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申请号： US13167946申请日： 2011-06-24
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公开(公告)号： US08716858B2公开(公告)日： 2014-05-06
- 发明人: Chen-Fa Lu , Chung-Shi Liu , Mirng-Ji Lii , Chen-Hua Yu
- 申请人： Chen-Fa Lu , Chung-Shi Liu , Mirng-Ji Lii , Chen-Hua Yu
- 申请人地址： TW
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： TW
- 代理机构： Lowe Hauptman & Ham, LLP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48
摘要：
A semiconductor device includes a barrier layer between a solder bump and a post-passivation interconnect (PPI) layer. The barrier layer is formed of at least one of an electroless nickel (Ni) layer, an electroless palladium (Pd) layer or an immersion gold (Au) layer.
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