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发明授权
US08750343B2 Nitride-based semiconductor light-emitting device, nitride-based semiconductor laser device, nitride-based semiconductor light-emitting diode, method of manufacturing the same, and method of forming nitride-based semiconductor layer 有权
基于氮化物的半导体发光器件，氮化物基半导体激光器件，氮化物基半导体发光二极管，其制造方法以及形成氮化物基半导体层的方法

  • 专利标题： Nitride-based semiconductor light-emitting device, nitride-based semiconductor laser device, nitride-based semiconductor light-emitting diode, method of manufacturing the same, and method of forming nitride-based semiconductor layer
  • 专利标题（中）： 基于氮化物的半导体发光器件，氮化物基半导体激光器件，氮化物基半导体发光二极管，其制造方法以及形成氮化物基半导体层的方法
  • 申请号： US12680412
    申请日： 2008-09-25
  • 公开(公告)号： US08750343B2
    公开(公告)日： 2014-06-10
  • 发明人: Ryoji Hiroyama , Yasuto Miyake , Yasumitsu Kuno , Yasuyuki Bessho , Masayuki Hata
  • 申请人： Ryoji Hiroyama , Yasuto Miyake , Yasumitsu Kuno , Yasuyuki Bessho , Masayuki Hata
  • 申请人地址： US CA Mountain View
  • 专利权人： Future Light, LLC
  • 当前专利权人： Future Light, LLC
  • 当前专利权人地址： US CA Mountain View
  • 代理机构： Ditthavong Mori & Steiner, P.C.
  • 优先权： JP2007-253677 20070928; JP2007-289918 20071107; JP2007-331097 20071221; JP2007-338897 20071228
  • 国际申请： PCT/JP2008/067238 WO 20080925
  • 国际公布： WO2009/041462 WO 20090402
  • 主分类号： H01S5/22
  • IPC分类号： H01S5/22 ;  H01S5/323 ;  H01S5/40
Nitride-based semiconductor light-emitting device, nitride-based semiconductor laser device, nitride-based semiconductor light-emitting diode, method of manufacturing the same, and method of forming nitride-based semiconductor layer
摘要：
A nitride-based semiconductor light-emitting device capable of suppressing complication of a manufacturing process and reduction of luminous efficiency is obtained. This nitride-based semiconductor light-emitting device (50) includes a nitride-based semiconductor device layer (23) formed on a main surface of a (1-100) plane of a substrate (21), having a light-emitting layer (26) having a main surface of a (1-100) plane, a facet (50a) formed on an end of a region including the light-emitting layer (26) of the nitride-based semiconductor device layer (23), formed by a (000-1) plane extending in a direction substantially perpendicular to the main surface ((1-100) plane) of the light-emitting layer (26), and a reflection surface (50c) formed on a region opposed to the facet (50a) of the (000-1) plane, formed by a growth surface of the nitride-based semiconductor device layer (23), extending in a direction inclined at an angle θ1 (about) 62° with respect to the facet (50a).
摘要（中）：

可以获得能够抑制制造工序的复杂化和发光效率降低的氮化物系半导体发光装置。 该氮化物系半导体发光元件（50）具有形成在基板（（1）的（1-100）面的主面上的氮化物系半导体器件层，具有发光层 26），具有（1-100）面的主表面的小面（50a），形成在包括氮化物类半导体器件层（23）的发光层（26）的区域的一端的端部，由 （（1-100）面）的方向延伸的（000-1）面，以及形成在与该面相对的区域上的反射面（50c） 由所述氮化物基半导体器件层（23）的生长表面形成的所述（000-1）面的（50a），所述生长表面沿着相对于所述刻面以角度θ倾斜的方向（大约）62°延伸; （50a）。

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