发明授权
US08841545B2 Solar cell wherein solar photovolatic thin film is directly formed on base
有权
太阳能电池，其中太阳光伏薄膜直接形成在基底上
- 专利标题： Solar cell wherein solar photovolatic thin film is directly formed on base
- 专利标题（中）： 太阳能电池，其中太阳光伏薄膜直接形成在基底上
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申请号： US12735692申请日： 2009-02-10
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公开(公告)号： US08841545B2公开(公告)日： 2014-09-23
- 发明人: Yoshihide Wakayama , Kazuki Moyama , Tadahiro Ohmi , Akinobu Teramoto
- 申请人： Yoshihide Wakayama , Kazuki Moyama , Tadahiro Ohmi , Akinobu Teramoto
- 申请人地址： JP Sendai-Shi JP Tokyo
- 专利权人： Tohoku University,Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tohoku University,Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Sendai-Shi JP Tokyo
- 代理机构： Pearne & Gordon LLP
- 优先权： JP2008-030707 20080212
- 国际申请： PCT/JP2009/052197 WO 20090210
- 国际公布： WO2009/101925 WO 20090820
- 主分类号： H01L31/00
- IPC分类号： H01L31/00 ; H01L31/0216 ; H01L31/048
摘要：
Disclosed is a solar cell comprising a solar cell semiconductor thin film formed on a base, a transparent conductive film formed on the semiconductor thin film, and a nitride-containing moisture diffusion-preventing film which covers the upper surface of the transparent conductive film. The moisture diffusion-preventing film is preferably composed of at least a silicon nitride film or a silicon carbide nitride (SiCN) film.
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