发明授权
US08846480B2 Carrier mobility in surface-channel transistors, apparatus made therewith, and system containing same
有权
表面沟道晶体管中的载流子迁移率，由其制成的装置，以及包含其的系统
- 专利标题： Carrier mobility in surface-channel transistors, apparatus made therewith, and system containing same
- 专利标题（中）： 表面沟道晶体管中的载流子迁移率，由其制成的装置，以及包含其的系统
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申请号： US13773558申请日： 2013-02-21
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公开(公告)号： US08846480B2公开(公告)日： 2014-09-30
- 发明人: Ravi Pillarisetty , Mantu Hudait , Marko Radosavljevic , Gilbert Dewey , Jack T. Kavalieros
- 申请人： Ravi Pillarisetty , Mantu Hudait , Marko Radosavljevic , Gilbert Dewey , Jack T. Kavalieros
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66 ; H01L29/10 ; H01L29/205
摘要：
A surface channel transistor is provided in a semiconductive device. The surface channel transistor is either a PMOS or an NMOS device. Epitaxial layers are disposed above the surface channel transistor to cause an increased bandgap phenomenon nearer the surface of the device. A process of forming the surface channel transistor includes grading the epitaxial layers.
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