发明授权
US08859331B2 Compositions used in formation of oxide material layers, methods of forming an oxide material layer using the same, and methods of fabricating a thin film transistor using same
有权
用于形成氧化物材料层的组合物，使用其形成氧化物材料层的方法以及使用其制造薄膜晶体管的方法
- 专利标题： Compositions used in formation of oxide material layers, methods of forming an oxide material layer using the same, and methods of fabricating a thin film transistor using same
- 专利标题（中）： 用于形成氧化物材料层的组合物，使用其形成氧化物材料层的方法以及使用其制造薄膜晶体管的方法
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申请号： US13523978申请日： 2012-06-15
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公开(公告)号： US08859331B2公开(公告)日： 2014-10-14
- 发明人: Hyun Jae Kim , Dong Lim Kim , Joohye Jung , You Seung Rim
- 申请人： Hyun Jae Kim , Dong Lim Kim , Joohye Jung , You Seung Rim
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- 当前专利权人： Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Carter, DeLuca, Farrell & Schmidt, LLP
- 优先权： KR10-2011-0089180 20110902
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/16 ; H01L21/02
摘要：
Methods of forming an oxide material layer are provided. The method includes mixing a precursor material with a peroxide material to form a precursor solution, coating the precursor solution on a substrate, and baking the coated precursor solution.
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