专利检索 ap:("Hyun Jae Kim" OR "Dong Lim Kim" OR "Joohye Jung" OR "You Seung Rim") AND inv:"Dong Lim Kim" 第 1 页

1.

发明授权
Compositions used in formation of oxide material layers, methods of forming an oxide material layer using the same, and methods of fabricating a thin film transistor using same 有权
标题翻译：用于形成氧化物材料层的组合物，使用其形成氧化物材料层的方法以及使用其制造薄膜晶体管的方法

公开(公告)号：US08859331B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13523978

申请日：2012-06-15

申请人： Hyun Jae Kim , Dong Lim Kim , Joohye Jung , You Seung Rim

发明人： Hyun Jae Kim , Dong Lim Kim , Joohye Jung , You Seung Rim

IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/16 , H01L21/02

CPC分类号： H01L21/08 , H01B1/08 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628

摘要： Methods of forming an oxide material layer are provided. The method includes mixing a precursor material with a peroxide material to form a precursor solution, coating the precursor solution on a substrate, and baking the coated precursor solution.

摘要翻译： 提供形成氧化物层的方法。该方法包括将前体材料与过氧化物材料混合以形成前体溶液，将前体溶液涂覆在基材上，并烘烤涂覆的前体溶液。

2.

发明申请
OXIDE SEMICONDUCTOR COMPOSITION AND PREPARATION METHOD THEREOF, METHOD OF FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD OF FABRICATING ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE FABRICATED THEREBY 审中-公开
标题翻译：氧化物半导体组合物及其制备方法，形成氧化物半导体薄膜的方法，制备电子器件的方法和其制备的电子器件

公开(公告)号：US20120313096A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13343013

申请日：2012-01-04

申请人： Hyun Jae KIM , You Seung Rim , Hyun Soo Lim , Dong Lim Kim

发明人： Hyun Jae KIM , You Seung Rim , Hyun Soo Lim , Dong Lim Kim

IPC分类号： H01L29/786 , G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/20 , H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02628 , G03F7/0007 , G03F7/0043 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/7869

摘要： Provided are an oxide semiconductor composition, a preparation method thereof, an oxide semiconductor thin film using the composition, and a method of forming an electronic device. The oxide semiconductor composition includes a photosensitive material and an oxide semiconductor precursor.

摘要翻译： 提供一种氧化物半导体组合物，其制备方法，使用该组合物的氧化物半导体薄膜以及形成电子器件的方法。氧化物半导体组合物包括感光材料和氧化物半导体前体。

3.

发明授权
Composition for oxide thin film, method of preparing the composition, method of forming the oxide thin film, and electronic device using the composition 有权
标题翻译：用于氧化物薄膜的组合物，制备组合物的方法，形成氧化物薄膜的方法和使用该组合物的电子器件

公开(公告)号：US08765028B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13114353

申请日：2011-05-24

申请人： Hyun Jae Kim , You Seung Rim , Dong Lim Kim

发明人： Hyun Jae Kim , You Seung Rim , Dong Lim Kim

IPC分类号： H01L29/12 , H01B1/08 , H01B1/02

CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/66969

摘要： Provided are a composition for an oxide semiconductor, a method of preparing the composition, methods of forming an oxide semiconductor thin film and an electronic device using the composition. The composition for an oxide semiconductor includes a tin compound, a zinc compound, and a low electronegativity metal compound containing a metal with an electronegativity lower than zinc.

摘要翻译： 提供一种氧化物半导体的组合物，该组合物的制备方法，形成氧化物半导体薄膜的方法和使用该组合物的电子器件。用于氧化物半导体的组合物包括锡化合物，锌化合物和含有电负性低于锌的金属的低电负性金属化合物。