发明授权
US08885398B2 Spin current generator for STT-MRAM or other spintronics applications
有权
用于STT-MRAM或其他自旋电子学应用的自旋电流发生器
- 专利标题： Spin current generator for STT-MRAM or other spintronics applications
- 专利标题（中）： 用于STT-MRAM或其他自旋电子学应用的自旋电流发生器
-
申请号： US13911917申请日： 2013-06-06
-
公开(公告)号： US08885398B2公开(公告)日： 2014-11-11
- 发明人: Jun Liu , Gurtej Sandhu
- 申请人： Micron Technology, Inc.
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Fletcher Yoder, P.C.
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/16 ; B82Y25/00 ; G01R33/09 ; G01R33/12 ; H01F10/32 ; B82Y10/00
摘要：
Spin current generators and systems and methods for employing spin current generators. A spin current generator may be configured to generate a spin current polarized in one direction, or a spin current selectively polarized in two directions. The spin current generator may by employed in spintronics applications, wherein a spin current is desired.
公开/授权文献
信息查询
