发明授权
- 专利标题： Light emitting diode structure and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）： 发光二极管结构及其制造方法
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申请号： US13975387申请日： 2013-08-26
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公开(公告)号： US08901551B2公开(公告)日： 2014-12-02
- 发明人: Kuan-Chieh Huang , Tung-Lin Chuang
- 申请人： Kuan-Chieh Huang , Tung-Lin Chuang
- 申请人地址： TW Tainan
- 专利权人： Genesis Photonics Inc.
- 当前专利权人： Genesis Photonics Inc.
- 当前专利权人地址： TW Tainan
- 代理机构： Jianq Chyun IP Office
- 优先权： TW102109549A 20130318
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00 ; H01L33/02 ; H01L51/50
摘要：
A light emitting diode (LED) structure including a substrate, a polymer layer, and an epitaxy layer is provided. The polymer layer is disposed on the substrate, wherein the polymer layer has a chemical formula of: wherein M represents sodium, zinc, magnesium, or potassium. The epitaxy layer is disposed on the polymer layer. The epitaxy layer is bonded to the substrate via the polymer layer.
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