- 专利标题： SOI bipolar junction transistor with substrate bias voltages
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申请号： US13369261申请日： 2012-02-08
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公开(公告)号： US08927380B2公开(公告)日： 2015-01-06
- 发明人: Jin Cai , Tak H. Ning
- 申请人： Jin Cai , Tak H. Ning
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理商 Ido Tuchman; Louis L. Percello
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L21/8222
摘要：
A circuit configuration and methods for controlling parameters of a bipolar junction transistor (BJT) fabricated on a substrate. A bias voltage is electrically coupled to the substrate and can be adjusted to alter the working parameters of a target BJT.
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