发明授权
- 专利标题： Light emitting diode with wavelength conversion layer
- 专利标题（中）： 具有波长转换层的发光二极管
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申请号： US13367781申请日： 2012-02-07
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公开(公告)号： US08957429B2公开(公告)日： 2015-02-17
- 发明人: Chih-Ming Wang , Chao-Hsing Chen , Chien-Fu Shen
- 申请人： Chih-Ming Wang , Chao-Hsing Chen , Chien-Fu Shen
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Epistar Corporation
- 当前专利权人： Epistar Corporation
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Patterson & Sheridan, LLP
- 主分类号： H01L29/18
- IPC分类号： H01L29/18 ; H01L33/00
摘要：
A light-emitting device comprises a base, a light-emitting unit comprising a semiconductor stack disposed on the base, and a wavelength conversion layer covering the light-emitting unit, wherein the wavelength conversion layer does not physically contact the base.
公开/授权文献
- US20130200398A1 LIGHT EMITTING DIODE WITH WAVELENGTH CONVERSION LAYER 公开/授权日：2013-08-08