Multilayer MIM capacitor

发明授权

US08962423B2 Multilayer MIM capacitor 有权

标题翻译：多层MIM电容

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专利标题： Multilayer MIM capacitor
专利标题（中）： 多层MIM电容
申请号： US13352655

申请日： 2012-01-18
公开(公告)号： US08962423B2

公开(公告)日： 2015-02-24
发明人: Kangguo Cheng , Joseph Ervin , Chengwen Pei , Ravi M. Todi , Geng Wang
申请人： Kangguo Cheng , Joseph Ervin , Chengwen Pei , Ravi M. Todi , Geng Wang
申请人地址： US NY Armonk
专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人地址： US NY Armonk
代理商 Catherine Ivers
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242

摘要：

An improved semiconductor capacitor and method of fabrication is disclosed. A MIM stack, comprising alternating first-type and second-type metal layers (each separated by dielectric) is formed in a deep cavity. The entire stack can be planarized, and then patterned to expose a first area, and selectively etched to recess all first metal layers within the first area. A second selective etch is performed to recess all second metal layers within a second area. The etched recesses can be backfilled with dielectric. Separate electrodes can be formed; a first electrode formed in said first area and contacting all of said second-type metal layers and none of said first-type metal layers, and a second electrode formed in said second area and contacting all of said first-type metal layers and none of said second-type metal layers.

摘要（中）：

公开了一种改进的半导体电容器和制造方法。在深空腔中形成MIM叠层，其包括交替的第一和第二类型的金属层（各自被电介质隔开）。整个堆叠可以被平坦化，然后被图案化以暴露第一区域，并且被选择性地蚀刻以在第一区域内凹陷所有第一金属层。执行第二选择性蚀刻以在第二区域内凹陷所有第二金属层。蚀刻的凹槽可以用电介质回填。可以形成单独的电极; 第一电极，形成在所述第一区域中，并且与所有所述第二类型金属层和所述第一类型金属层接触，并且形成在所述第二区域中并与所有第一类金属层接触的第二电极，所述第二类金属层。

公开/授权文献

US20130181326A1 MULTILAYER MIM CAPACITOR 公开/授权日：2013-07-18

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）