半导体光电阴极包括通过SiO 2层和形成在AlXGa1-XN层上的含碱金属的层结合到玻璃基板上的Al x Ga 1-x N层（0＆lt; nlE; X <1）。 AlXGa1-XN层包括第一区域，第二区域，第一区域和第二区域之间的中间区域。 第二区域具有通过交替层叠阻挡层和阱层而形成的半导体超晶格结构，中间区域具有通过交替层压阻挡层和阱层而形成的半导体超晶格结构。 当一对相邻的阻挡层和阱层被定义为单位部分时，单位部分中Al的组成比X的平均值随着距离第二区域和SiO 2层之间的界面位置的距离而至少在 中间区域。