发明授权
US08999208B2 In-Ga-Sn oxide sinter, target, oxide semiconductor film, and semiconductor element
有权
In-Ga-Sn氧化物烧结体，靶，氧化物半导体膜和半导体元件
- 专利标题： In-Ga-Sn oxide sinter, target, oxide semiconductor film, and semiconductor element
- 专利标题（中）： In-Ga-Sn氧化物烧结体，靶，氧化物半导体膜和半导体元件
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申请号： US13580355申请日： 2011-02-22
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公开(公告)号： US08999208B2公开(公告)日： 2015-04-07
- 发明人: Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
- 申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- 当前专利权人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP2010-038979 20100224
- 国际申请： PCT/JP2011/000972 WO 20110222
- 国际公布： WO2011/105047 WO 20110901
- 主分类号： H01B1/02
- IPC分类号： H01B1/02 ; C04B35/01 ; C04B35/457 ; C04B35/626 ; C04B37/02 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L29/786 ; H01L29/66 ; H01L21/02
摘要：
An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60 (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55 (2) 0.0001
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