发明授权
- 专利标题： Methods of forming moisture barrier capacitors in semiconductor components
- 专利标题（中）： 在半导体部件中形成防潮电容器的方法
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申请号： US12876866申请日： 2010-09-07
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公开(公告)号： US09012297B2公开(公告)日： 2015-04-21
- 发明人: Hans-Joachim Barth , Helmut Horst Tews
- 申请人： Hans-Joachim Barth , Helmut Horst Tews
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L21/441
- IPC分类号： H01L21/441 ; H01L27/08 ; H01L23/522 ; H01L23/00 ; H01L23/58 ; H01L27/06
摘要：
Structures and methods of forming moisture barrier capacitor on a semiconductor component are disclosed. The capacitor is located on the periphery of a semiconductor chip and includes an inner plate electrically connected to a voltage node, an outer plate with fins for electrically connecting to a different voltage node.
公开/授权文献
- US20100330771A1 Moisture Barrier Capacitors in Semiconductor Components 公开/授权日：2010-12-30
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