发明授权
- 专利标题： Floating gate memory device with at least partially surrounding control gate
- 专利标题（中）： 具有至少部分围绕控制门的浮栅存储器件
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申请号： US12418623申请日： 2009-04-06
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公开(公告)号： US09059302B2公开(公告)日： 2015-06-16
- 发明人: Koen Van Der Zanden , Thomas Schulz
- 申请人： Koen Van Der Zanden , Thomas Schulz
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Slater & Matsil, L.L.P.
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L29/788 ; H01L21/28 ; H01L29/423 ; H01L29/66
摘要：
One or more embodiments relate to a floating gate memory device, comprising: a substrate; a floating gate disposed over the substrate; and a control gate substantially laterally surrounding at least a portion of the floating gate.
公开/授权文献
- US20100252874A1 Memory Device 公开/授权日：2010-10-07
信息查询
IPC分类:
