发明授权
US09096947B2 SiC single crystal, production method therefor, SiC wafer and semiconductor device
有权
SiC单晶，其制造方法，SiC波导和半导体器件
- 专利标题： SiC single crystal, production method therefor, SiC wafer and semiconductor device
- 专利标题（中）： SiC单晶，其制造方法，SiC波导和半导体器件
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申请号： US14119710申请日： 2012-06-04
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公开(公告)号： US09096947B2公开(公告)日： 2015-08-04
- 发明人: Itaru Gunjishima , Keisuke Shigetoh , Yasushi Urakami , Masanori Yamada , Ayumu Adachi , Masakazu Kobayashi
- 申请人： Itaru Gunjishima , Keisuke Shigetoh , Yasushi Urakami , Masanori Yamada , Ayumu Adachi , Masakazu Kobayashi
- 申请人地址： JP Aichi-ken JP Aichi-ken JP Tokyo-to
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO,DENSO CORPORATION,SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO,DENSO CORPORATION,SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人地址： JP Aichi-ken JP Aichi-ken JP Tokyo-to
- 代理机构： Oblon, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： JP2011-125886 20110605
- 国际申请： PCT/JP2012/064398 WO 20120604
- 国际公布： WO2012/169465 WO 20121213
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; C30B23/02 ; C30B29/36 ; H01L21/02 ; C30B23/00 ; H01L29/16
摘要：
When an SiC single crystal having a large diameter of a {0001} plane is produced by repeating a-plane growth, the a-plane growth of the SiC single crystal is carried out so that a ratio Sfacet (=S1×100/S2) of an area (S1) of a Si-plane side facet region to a total area (S2) of the growth plane is maintained at 20% or less.
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