发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US13364994申请日： 2012-02-02
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公开(公告)号： US09136295B2公开(公告)日： 2015-09-15
- 发明人: Yoshiharu Sawada , Sho Suzuki , Takehito Okabe , Masatsugu Itahashi , Takashi Usui , Junji Iwata
- 申请人： Yoshiharu Sawada , Sho Suzuki , Takehito Okabe , Masatsugu Itahashi , Takashi Usui , Junji Iwata
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Canon USA, Inc. IP Division
- 优先权： JP2011-026354 20110209; JP2011-223299 20111007
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
There are provided a first waveguide member in an imaging region and a peripheral region of a semiconductor substrate and a via plug penetrating the first waveguide member.