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US09159914B2 Nonvolatile memory devices and methods of forming the same 有权
非易失存储器件及其形成方法

Nonvolatile memory devices and methods of forming the same
摘要：
A nonvolatile memory device includes a bottom electrode on a semiconductor substrate, a data storage layer on the bottom electrode, the data storage layer including a transition metal oxide, and a switching layer provided on a top surface and/or a bottom surface of the data storage layer, wherein a bond energy of material included in the switching layer and oxygen is more than a bond energy of a transition metal in the transition metal oxide and oxygen.
摘要（中）：

非易失性存储器件包括半导体衬底上的底电极，底电极上的数据存储层，包含过渡金属氧化物的数据存储层以及设置在数据的顶表面和/或底表面上的开关层 存储层，其中包含在所述开关层中的材料的键能和氧比所述过渡金属氧化物和氧中的过渡金属的键能大。

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