发明授权
- 专利标题： Nanostructures and methods of making the same
- 专利标题（中）： 纳米结构和制作方法
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申请号： US12864205申请日： 2008-01-30
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公开(公告)号： US09272900B2公开(公告)日： 2016-03-01
- 发明人: Shih-Yuan Wang , Michael Renne Ty Tan
- 申请人： Shih-Yuan Wang , Michael Renne Ty Tan
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： Hewlett Packard Enterprise Development LP
- 当前专利权人： Hewlett Packard Enterprise Development LP
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 代理机构： Dierker & Associates, P.C.
- 国际申请： PCT/US2008/052476 WO 20080130
- 国际公布： WO2009/096961 WO 20090806
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; B81C1/00 ; B82Y10/00 ; H01L31/0352 ; H01L31/105
摘要：
A nanostructure includes a highly conductive microcrystalline layer, a bipolar nanowire, and another layer (18, 30). The highly conductive microcrystalline layer includes a microcrystalline material and a metal. The bipolar nanowire has one end attached to the highly conductive microcrystalline layer and another end attached to the other layer.
公开/授权文献
- US20100295018A1 NANOSTRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE SAME 公开/授权日：2010-11-25
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