Replacement metal gates to enhance tranistor strain

发明授权

US09337336B2 Replacement metal gates to enhance tranistor strain 有权

标题翻译：替代金属栅极增强晶体管应变

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专利标题： Replacement metal gates to enhance tranistor strain
专利标题（中）： 替代金属栅极增强晶体管应变
申请号： US14882434

申请日： 2015-10-13
公开(公告)号： US09337336B2

公开(公告)日： 2016-05-10
发明人: Mark T. Bohr
申请人： Intel Corporation
申请人地址： US CA Santa Clara
专利权人： Intel Corporation
当前专利权人： Intel Corporation
当前专利权人地址： US CA Santa Clara
代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/66 ; H01L29/49 ; H01L21/82 ; H01L21/8238

Replacement metal gates to enhance tranistor strain

摘要：

Some embodiments of the present invention include apparatuses and methods relating to NMOS and PMOS transistor strain.

摘要（中）：

本发明的一些实施例包括与NMOS和PMOS晶体管应变相关的装置和方法。

公开/授权文献

US20160049510A1 REPLACEMENT METAL GATES TO ENHANCE TRANISTOR STRAIN 公开/授权日：2016-02-18

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的