发明授权
- 专利标题： Doped aluminum nitride crystals and methods of making them
- 专利标题（中）： 掺杂氮化铝晶体及其制备方法
-
申请号： US14225999申请日： 2014-03-26
-
公开(公告)号： US09525032B2公开(公告)日： 2016-12-20
- 发明人: Glen A. Slack , Leo J. Schowalter
- 申请人： Glen A. Slack , Leo J. Schowalter
- 申请人地址： US NY Green Island
- 专利权人： CRYSTAL IS, INC.
- 当前专利权人： CRYSTAL IS, INC.
- 当前专利权人地址： US NY Green Island
- 代理机构： Morgan, Lewis & Bockius LLP
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; H01L29/20 ; C30B23/00 ; C30B29/40
摘要：
Fabrication of doped AlN crystals and/or AlGaN epitaxial layers with high conductivity and mobility is accomplished by, for example, forming mixed crystals including a plurality of impurity species and electrically activating at least a portion of the crystal.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
