- 专利标题： Semiconductor material, optical hydrogen generating device using same, and method of producing hydrogen
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申请号： US14342489申请日： 2012-08-31
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公开(公告)号： US09630169B2公开(公告)日： 2017-04-25
- 发明人: Kazuhito Hato , Kenichi Tokuhiro , Takahiro Suzuki , Takaiki Nomura , Kenichiro Ota , Akimitsu Ishihara
- 申请人： Kazuhito Hato , Kenichi Tokuhiro , Takahiro Suzuki , Takaiki Nomura , Kenichiro Ota , Akimitsu Ishihara
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： PANASONIC CORPORATION
- 当前专利权人： PANASONIC CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： Hamre, Schumann, Mueller & Larson, P.C.
- 优先权： JP2011-193903 20110906
- 国际申请： PCT/JP2012/005526 WO 20120831
- 国际公布： WO2013/035291 WO 20130314
- 主分类号： B01J27/24
- IPC分类号： B01J27/24 ; B01J19/12 ; B01J37/34 ; B01J35/00 ; C01B3/04 ; C25B1/00 ; C25B1/04 ; C25B9/00 ; C25B9/06
摘要：
A semiconductor material of the present invention is a semiconductor material including an oxynitride containing at least one element selected from the Group 4 elements and Group 5 elements. In the oxynitride, part of at least one selected from oxygen and nitrogen is substituted with carbon. Nb is preferable as the Group 5 element.
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