SOG WITH MOISTURE RESISTANT PROTECTIVE CAPPING LAYER

Invention Application

WO1991019317A1 SOG WITH MOISTURE RESISTANT PROTECTIVE CAPPING LAYER 审中-公开

Title translation: SOG防潮保护层

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Patent Title: SOG WITH MOISTURE RESISTANT PROTECTIVE CAPPING LAYER
Patent Title (中): SOG防潮保护层
Application No.: PCT/CA1991000177

Application Date: 1991-05-28
Publication No.: WO1991019317A1

Publication Date: 1991-12-12
Inventor: MITEL CORPORATION
Applicant: MITEL CORPORATION , OUELLET, Luc
Assignee: MITEL CORPORATION,OUELLET, Luc
Current Assignee: MITEL CORPORATION,OUELLET, Luc
Priority: CA2,017,720 19900529
Main IPC: H01L21/312
IPC: H01L21/312

SOG WITH MOISTURE RESISTANT PROTECTIVE CAPPING LAYER

Abstract:

A method of applying spin-on glass (SOG) on a substrate over low-melting point, non-refractory materials such as aluminium (1a, 1b) is disclosed. In the method a layer of applied spin-on glass (4) is subjected to disconnection and outgassing of water and reaction by-products, and then capped with a protective dielectric layer resistant to moisture diffusion (5).

Abstract(Chinese):

公开了一种在低熔点的基材上施加旋涂玻璃（SOG）的方法，非耐火材料如铝（1a，1b）。在该方法中，一层施加的旋涂玻璃（4）经受水和反应副产物的断开和除气，然后用耐潮湿扩散的保护性介电层（5）封盖。

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Global Dossier Patent Scope Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312	......有机层，例如光刻胶（H01L21/3105、H01L21/32优先）